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usdt钱包(www.caibao.it):Samsung 第三代 HBM2E 记忆体 Flashbolt 现身,速率推升至 3.2Gbps、容量达 16GB

admin2021-01-1212零组件电脑王记忆体Samsung新闻技术研究hbm2记忆体/储存装置hbm2eflashbolt3.2gbps

高性能记忆体走向 2 个极端,其一为注重时脉速率的 GDDR,另外一种则是注重汇流排宽度的 HBM。Samsung Electronics 克日揭晓 Flashbolt 记忆体,为自家第三代 HBM2E,单针脚传输速率冲上 3.2Gbps,单颗堆叠 8 个 16Gb 颗粒,总容量来到 16GB。



JEDEC 在上个月更新 HBM2 手艺规格,JESD235C 将单针脚速率提升至 3.2Gbps,其余重大规格相对 JESD235B 没有太多更改,最大单一晶粒容量维持 2GB、每个堆叠最多可以容纳 12 个晶粒、单一堆叠对外汇流排界面宽度为 1024bit、电压 1.2V 等。



随着 JEDEC JESD235C 规格更新,Samsung Electronics 于克日揭晓 Flashbolt 记忆体,为自家第三代 HBM2E 记忆体,单针脚传输速率已达规范最高速率 3.2Gbps,单一堆叠接纳 8 个 16Gb 晶粒,云云单一堆叠即可提供 16GB 容量,相当惊人!(HBM2E 与 HBM2 3.2Gbps 是一样的器械,只是 Samsung 和 JEDEC 的称谓差别。)



Samsung Electronics 克日揭晓旗下第三代 HBM2E 记忆体,单针脚传输速率达 3.2Gbps,并透过堆叠 8 个 16Gb 晶粒,让单一堆叠拥有 16GB 容量。



Flashbolt 与前一世代 Aquabolt 除了传输速率上的差别(Flashbolt:3.2Gbps、Aquabolt:2.4Gbps),单一堆叠容量也倍增(Flashbolt:16GB、Aquabolt:8GB),除了能够让高性能运算晶片获取更大的存取频宽,也可以执行更为庞大的义务。

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Flashbolt HBM2E 记忆体接纳 1y 制程制造,每个晶粒含有 5600 个以上的 TSV(Through Silicon Via、矽穿孔),用以相互连接传输讯号,8 个晶粒堆叠拥有跨越 4 万个 TSV。此外这次 Samsung Electronics 仅宣布 8-Hi 堆叠版本,JEDEC 尺度最高可达 12-Hi,因此不清扫未来也会有单一堆叠容量达 24GB 版本问世。另一方面,Samsung Electronics Flashbolt HBME2 除了支援 JEDEC 尺度速率 3.2Gbps,该公司新闻稿还提到支援 4.2Gbps,让单一堆叠对外频宽从 410GB/s 跃升至 538GB/s,提升 31.22% 左右。



Samsung Electronics Flashbolt HBM2E 接纳自家 1y 制程制造,除了能够支援 JEDEC 尺度 3.2Gbps,甚至还能够超频至 4.2Gbps。



Samsung Electronics 示意 Flashbolt HBM2E 将于 2020 上半年最先进入量产阶段,这个时间点相当玄妙,为 AMD RDNA2 和 NVIDIA Ampere 架构产物推出前夕,高性能运算卡版本接纳的可能性相当高,然则显示卡记忆体跨越一定容量之后,对于游戏没有太大辅助,因此零售市场不太可能见到接纳 HBM2E 记忆体的产物。



 



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